Follow
Трушлякова Валентина
Трушлякова Валентина
Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI" (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)
Verified email at etu.ru
Title
Cited by
Cited by
Year
Автоматизированная методика получения изображения топологии кристалла интегральной микросхемы по оптическим фрагментам
ВВ Лучинин, ЕВ Красник, ВВ Трушлякова
Изв. СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Сер. ФТТиЭ, 41, 2006
52006
Применение аффинного преобразования для совмещения совокупности растровых изображений слоев интегральной микросхемы
ЕВ Красник, ВВ Трушлякова
СПбГЭТУ" ЛЭТИ, 19, 2008
32008
Характеризация функциональных областей карбидокремниевых эпитаксиальных и приборных структур методом РЭМ в режиме контраста легирования
АВ Афанасьев, ВА Голубков, ВА Ильин, ВВ Лучинин, АА Рябко, ...
Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ, 72-77, 2020
22020
Информационная уязвимость ЭКБ
АО Гасников, МИ Ершов, ВВ Лучинин, ВВ Трушлякова
Нано-и микросистемная техника 21 (2), 120-128, 2019
22019
Тополого-схемотехнический синтез функциональных узлов кристаллов интегральных схем в процессе" обратного проектирования"
ЕВ Красник, СБ Калинин, ВВ Лучинин, ВВ Трушлякова
Петербургский журнал электроники, 3-24, 2010
22010
Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC
АВ Марков, МФ Панов, ВП Растегаев, ЕН Севостьянов, ...
Журнал технической физики 89 (12), 1869-1874, 2019
12019
Тополого-схемотехнический анализ ПЛИС с проектной нормой 28 нм
АО Гасников, МИ Ершов, ВВ Трушлякова
Петербургский журнал электроники, 103-110, 2017
12017
Взаимодействия электронного пучка с ячейкой памяти кристалла ИМС
АО Гасников, МИ Ершов, ВВ Трушлякова, ЕА Макаревская
Нано-и микросистемная техника 19 (12), 752-756, 2017
12017
Восстановление топологии кристаллов интегральных схем по ее фрагментам
ЕВ Красник, ВВ Лучинин, АМ Спивак, ВВ Трушлякова
Петербургский журнал электроники, 3-24, 2010
12010
ПРИМЕНЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ РЕАКТИВНОГО ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ 4H-SIC-ФОТОДИОДОВ
АВ АФАНАСЬЕВ, ВВ ЗАБРОДСКИЙ, ВА ИЛЬИН, ВВ ЛУЧИНИН, ...
2022
Определение толщин и особенностей легирования многослойных 4H-SiC-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
АВ Афанасьев, ВИ Зубков, ВА Ильин, ВВ Лучинин, МВ Павлова, ...
Письма в ЖТФ 48 (2), 2022
2022
РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ
НВ АНДРЕЕВА, АА РОМАНОВ, ДС МАЗИНГ, ДА ЧИГИРЕВ, ...
РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ Учредители: Национальный исследовательский центр …, 2021
2021
Мембранные окна из нитрида кремния для вывода мягкого рентгеновского излучения
АВ Корляков, ОН Михайлова, ВВ Трушлякова
Нано-и микросистемная техника 22 (2), 69-74, 2020
2020
Перспективные характеристики памяти на основе Резистивной ячейки
ДД Калязин, АO ГАСНИКОВ, ВВ Трушлякова
Наука настоящего и будущего 3, 23-26, 2019
2019
Методы ограничения доступа к данным на кристалле интегральной схемы
ВВ Артеменков, АО Гасников, МИ Ершов, ВВ Трушлякова
Наука настоящего и будущего 3, 7-11, 2019
2019
Путь технологии кремниевой электроники на примере ячеек памяти
ВВ Трушлякова
СПбНТОРЭС: труды ежегодной НТК, 382-384, 2019
2019
Измерение параметров структурных слоев карбида кремния методами растровой электронной микроскрпии
АА Воронцова, ВВ Трушлякова
Наука настоящего и будущего 1, 565-569, 2018
2018
Синтез из газовой фазы наноструктурированных углеродных материалов
АА Романов, МА Кузнецова, ВВ Трушлякова
Биотехносфера, 20-25, 2011
2011
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДЛОЖЕК И ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КАРБИДА КРЕМНИЯ БЕСКОНТАКТНЫМИ МЕТОДАМИ
МФ Панов, АВ Марков, ВП Растегаев, ЕН Севастьянов, ...
Редакционная коллегия, 105, 0
The system can't perform the operation now. Try again later.
Articles 1–19