Bismuth quantum dots in annealed GaAsBi/AlAs quantum wells R Butkutė, G Niaura, E Pozingytė, B Čechavičius, A Selskis, M Skapas, ... Nanoscale research letters 12, 1-7, 2017 | 30 | 2017 |
Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers S Pūkienė, M Karaliūnas, A Jasinskas, E Dudutienė, B Čechavičius, ... Nanotechnology 30 (45), 455001, 2019 | 22 | 2019 |
GaAs1-xBix growth on Ge: anti-phase domains, ordering, and exciton localization T Paulauskas, V Pačebutas, A Geižutis, S Stanionytė, E Dudutienė, ... Scientific Reports 10 (1), 2002, 2020 | 11 | 2020 |
High precision parabolic quantum wells grown using pulsed analog alloy grading technique: Photoluminescence probing and fractional-dimensional space approach M Karaliūnas, E Dudutienė, A Čerškus, J Pagalys, S Pūkienė, A Udal, ... Journal of Luminescence 239, 118321, 2021 | 9 | 2021 |
Bismides: 2D structures and quantum dots V Pačebutas, R Butkutė, B Čechavičius, S Stanionytė, E Pozingytė, ... Journal of Physics D: Applied Physics 50 (36), 364002, 2017 | 4 | 2017 |
Effects of parabolic barrier design for multiple GaAsBi/AlGaAs quantum well structures M Jokubauskaitė, G Petrusevičius, A Špokas, B Čechavičius, E Dudutienė, ... Lithuanian Journal of Physics 63 (4), 2023 | 2 | 2023 |
Temperature-dependent modulated reflectance and photoluminescence of InAs–GaAs and InAs–InGaAs–GaAs quantum dot heterostructures A Rimkus, E Pozingytė, R Nedzinskas, B Čechavičius, J Kavaliauskas, ... Optical and Quantum Electronics 48, 1-6, 2016 | 2 | 2016 |
Low-frequency noise characteristics of (Al, Ga) As and Ga (As, Bi) quantum well structures for NIR laser diodes S Armalytė, J Glemža, V Jonkus, S Pralgauskaitė, J Matukas, S Pūkienė, ... Sensors 23 (4), 2282, 2023 | | 2023 |
Artimosios infraraudonosios srities lazerinių diodų žemo dažnio triukšmo charakteristikos J Glemža, S Pralgauskaitė, J Matukas, A Špokas, A Bičiūnas, ... 45-oji Lietuvos nacionalinė fizikos konferencija, 2023 m. spalio 25-27 d …, 2023 | | 2023 |
Influence of an ultra-thin buffer layer on the growth and properties of pseudomorphic GaAsBi layers S Pūkienė, A Jasinskas, A Zelioli, S Stanionytė, V Bukauskas, ... Lithuanian Journal of Physics 62 (2), 2022 | | 2022 |
GaAsBi kvantinių duobių ir Bi kvantinių taškų fotoliuminescencijos savybės E Dudutienė Vilniaus universitetas, 2022 | | 2022 |
Photoluminescence properties of GaAsBi single quantum wells with 10% of Bi E Dudutienė, A Jasinskas, B Čechavičius, R Nedzinskas, ... Lithuanian Journal of Physics 61 (2), 2021 | | 2021 |
Low-power, temperature-resistant IR range semiconductor laser diodes for automotive applications S Pūkienė, J Devenson, V Agafonov, A Jasinskas, E Dudutienė, ... Laser Science, JTu3A. 13, 2019 | | 2019 |
Consolidation of powdered quasicrystalline Al-Fe-Cr alloy under quasi-hydrostatic pressure AI Kravchenko, D Guschic, AI Yurkova Vilnius University, 2016 | | 2016 |
Epitaksinių InAs kvantinių taškų darinių fotoatspindžio spektroskopija E Pozingytė Vilniaus universitetas, 2016 | | 2016 |
Epitaksinių InAs kvantinių taškų darinių fotoatspindžio spektroskopija E Pozingytė Vilniaus universitetas, 2016 | | 2016 |
In-Depth Investigation of Emission Homogeneity of Ingaas Multiple Quantum Wells Using Spatially Resolved Spectroscopy A Zelioli, A Špokas, B Čechavičius, M Talaikis, S Stanionytė, ... Available at SSRN 4813221, 0 | | |
Mappings of large area PL emission from InGaAs/GaAs and GaAsBi/GaAs multi-quantum wells for VECSEL fabrication A Zelioli, A Špokas, K Mažeika, M Jokubauskaitė, A Vaitkevičius, ... | | |
Daugybinių GaAsBi kvantinių duobių artimosios infraraudonosios spinduliuotės šviestukas, skirtas integravimui ant silicio padėklo GaAsBi Based MQW NIR LED for Integration on … G Petrusevičius, A Špokas, A Zelioli, E Dudutienė, A Vaitkevičius, ... | | |
GaAsBi stačiakampių kvantinių duobių auginimo technologijos optimizavimas artimosios infraraudonosios srities emiteriams Optimization of GaAsBi Rectangular Quantum Wells for … A Špokas, A Zelioli, G Petrusevičius, MP Iršėnas, A Vaitkevičius, ... | | |