| Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе НА Торхов, ВГ Божков, ИВ Ивонин, ВА Новиков Физика и техника полупроводников 43 (1), 38-47, 2009 | 74 | 2009 |
| Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии ВГ Божков, НА Торхов, ИВ Ивонин, ВА Новиков Физика и техника полупроводников 42 (5), 546-554, 2008 | 33 | 2008 |
| Формирование структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе НА Торхов Физика и техника полупроводников 37 (10), 1205, 2003 | 21 | 2003 |
| ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА НА ЛОКАЛЬНО МЕТАЛЛИЗИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ n-GaAs МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ … НА Торхов, ВГ Божков, ИВ Ивонин, ВА Новиков Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 57-66, 2009 | 19 | 2009 |
| Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики НА Торхов, ВА Новиков Физика и техника полупроводников 45 (1), 70-86, 2011 | 17 | 2011 |
| Экспериментальное исследование и построение моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с учетом технологического разброса параметров АС Сальников, ИМ Добуш, ЛИ Бабак, НА Торхов Доклады Томского государственного университета систем управления и …, 2012 | 14 | 2012 |
| Фрактальная геометрия поверхностного потенциала электрохимически осажденных пленок платины и палладия НА Торхов, ВА Новиков Физика и техника полупроводников 43 (8), 1109-1116, 2009 | 14 | 2009 |
| Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки НА Торхов Физика и техника полупроводников 44 (6), 767-774, 2010 | 13 | 2010 |
| Фрактальный характер распределения неоднородностей потенциала поверхности n-GaAs (100) НА Торхов, ВГ Божков, ИВ Ивонин, ВА Новиков Физика и техника полупроводников 43 (5), 577-580, 2009 | 12 | 2009 |
| Влияние периферии контактов металл–полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики НА Торхов Физика и техника полупроводников 44 (5), 615-627, 2010 | 11 | 2010 |
| Влияние фотоэдс на токопрохождение в контактах металл–полупроводник с барьером Шоттки НА Торхов Физика и техника полупроводников 45 (7), 965-973, 2011 | 10 | 2011 |
| Эффект баллистического переноса электронов в Me-n-n+ GaAs-структурах с барьером Шоттки НА Торхов ФТП 35 (7), 823-830, 2001 | 10 | 2001 |
| Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки НА Торхов Физика и техника полупроводников 52 (10), 1150-1171, 2018 | 9 | 2018 |
| Разработка GaAs-pHEMT-монолитного малошумящего усилителя диапазона 3–20 ГГц с использованием программ «визуального» проектирования ИМ Добуш, АА Самуилов, АА Калентьев, АЕ Горяинов, МВ Черкашин, ... Доклады Томского государственного университета систем управления и …, 2013 | 9 | 2013 |
| Токоперенос в структурах Me-n-n+ с барьером Шоттки НА Торхов, СВ Еремеев Физика и техника полупроводников 34 (1), 106-112, 2000 | 7 | 2000 |
| Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs с барьером Шоттки ВГ Божков, ВА Кагадей, НА Торхов Физика и техника полупроводников 32 (11), 1343-1348, 1998 | 7 | 1998 |
| Метод определения значений фрактальной размерности интерфейсов электрических контактов металл–полупроводник из их статических приборных характеристик НА Торхов Поверхность, 1-15, 2010 | 6 | 2010 |
| Влияние формы интерфейса контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические приборные характеристики. М.: 2008. 25 c НА Торхов Деп. в ВИНИТИ, 2008 | 6 | 2008 |
| Влияние защитных пленок SiO2 на диффузию атомарного водорода при гидрогенизации эпитаксиального n-GaAs АВ Панин, НА Торхов Физика и техника полупроводников 34 (6), 698-703, 2000 | 6 | 2000 |
| Эффект стабилизации фазы СВЧ-колебаний наносекундных генераторов Ганна АИ Климов, ОБ Ковальчук, ВП Губанов, ВЮ Кожевников, АВ Козырев, ... | 5 | 2013 |
Вадим НовиковТомский государственный университетVerified email at persona.tsu.ru
