| Пирои пьезоэффекты в светодиодной MQW-гетероструктуре ВН Давыдов, ВЛ Олейник Доклады Томского государственного университета систем управления и …, 2013 | 5 | 2013 |
| Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN ИА Прудаев, ИС Романов, ВЛ Олейник, ВВ Копьев | 4 | 2017 |
| Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x) 0.5 In0. 5P/(Al0. 54Ga0. 46) 0.5 In0. 5P ВЛ Олейник, ИС Романов, ВН Брудный, ЮЛ Рябоштан, ПВ Горлачук, ... | 3 | 2014 |
| Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме ВМ Калыгина, ОС Киселева, БО Кушнарев, ВЛ Олейник, ЮС Петрова, ... Физика и техника полупроводников 56 (9), 928-932, 2022 | 2 | 2022 |
| УСТРОЙСТВО ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПИТАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА ИА Прудаев, МС Скакунов, ВВ Копьев, ВЛ Олейник | 1 | 2021 |
| Квантово-размерные эффекты переноса носителей заряда в сверхрешетках и множественных квантовых ямах InGaN/GaN ИА Прудаев, ВВ Копьев, ИС Романов, ВЛ Олейник, АД Лозинская, ... Нитриды Галлия, Индия и Алюминия: структуры и приборы, 158-159, 2017 | 1 | 2017 |
| Исследование светодиодов из AlGaInP методикой спектроскопии адмиттанса ВЛ Олейник | 1 | 2015 |
| Профиль концентраций носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах ВН Давыдов, ВЛ Олейник Научная сессия ТУСУР-2013, 44-49, 2013 | 1 | 2013 |
| СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЗАВИСИМОСТЕЙ ЕМКОСТИ И ФОТОПРОВОДИМОСТИ ОТ НАПРЯЖЕНИЯ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN1 ЮЛ Зубрилкина, ИА Прудаев, ВЛ Олейник, СБ Ширапов ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ 56 (8/3), 2013 | 1 | 2013 |
| S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов ВЛ Олейник, ИА Прудаев, ВВ Копьев, ЮС Петрова, АС Курасова, ... | | 2023 |
| Физические основы работы лавинного S-диода ИА Прудаев, ВВ Копьев, ВЛ Олейник, ЮС Петрова | | 2023 |
| Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода ВВ Копьев, ИА Прудаев, ВЛ Олейник, МС Скакунов | | 2023 |
| Влияние ловушек на фотоэлектрические характеристики детекторов на основе тонких пленок оксида галлия АВ Цымбалов, ВМ Калыгина, ВЛ Олейник, БО Кушнарёв Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем, 74-75, 2022 | | 2022 |
| Детекторы УФ излучения на основе структур Ga2O3-GaAs ОС Киселева, ВВ Копьев, БО Кушнарёв, ВЛ Олейник Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем, 35-36, 2022 | | 2022 |
| Электрические и излучательные характеристики светодиодных гетероструктур на основе соединений AlInGaP: научный доклад по направлению подготовки: 03.06. 01-Физика и астрономия ВЛ Олейник Томск:[б. и.], 2020 | | 2020 |
| ТГУ)(RU) ИА Прудаев, ОП Толбанов, ВВ Копьев, ВЛ Олейник | | 2019 |
| Температурные зависимости емкостных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlInGaP ВЛ Олейник Школа молодых ученых" Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 28-29, 2019 | | 2019 |
| ДВУХКАСКАДНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ТОКА ИА Прудаев, ОП Толбанов, ВВ Копьев, ВЛ Олейник | | 2019 |
| ГЕНЕРАТОР НА ОСНОВЕ ЛАВИННОГО ИМПУЛЬСНОГО S-ДИОДА С РЕГУЛИРУЕМОЙ АМПЛИТУДОЙ ИМПУЛЬСОВ ИА Прудаев, ОП Толбанов, ВВ Копьев, ВЛ Олейник | | 2018 |
| ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЛАВИННЫХ S-ДИОДОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛИЯ ТЕ Смирнова, ВВ Копьев, ВЛ Олейник РАДИОЭЛЕКТРОНИКА, ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭНЕРГЕТИКА, 378-378, 2018 | | 2018 |
Илья ПрудаевТомский государственный университетVerified email at persona.tsu.ru
